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    公开号:WO1990007302A1
    申请号:PCT/JP1986/000492
    申请日:1986-09-25
    公开日:1990-07-12
    发明作者:Ryusaburo Takeda；Hideaki Koizumi；Toshihiro Isizuka
    申请人:Ryusaburo Takeda；Hideaki Koizumi；Toshihiro Isizuka；
    IPC主号:G01R33-00
    专利说明:
    [0001] 明 細 書
    [0002] 試料の特定領域を選択する方法 技術分野
    [0003] 本発明は試料の特定領域を選択する方法、 特に核磁気 共鳴イ メージングのために用い られるのに適した、 試料 の特定領域を選択する方法に関する。
    [0004] 背景技術
    [0005] 静磁場中にス ピン量子数がゼロでない原子核を有する 試料を置く と、 原子核はま と まった集合と してマク ロ的 な挙動を示 し、 静磁場の方向と平行な磁化を持ち、 かつ 角運動量を持った磁化べク トルとみなせる。 磁化の大き さ を示す磁気モ一メ ン 卜 β と角運動量 J と の関係は、 磁 気回転比を Ί とする と 、 次式のごと くなる。
    [0006] ^ = y J (l) また、 運動方程式は、 静磁場の強さ を Ho とする と、 次式で示される。
    [0007] d J
    [0008] = μ X H o (2) d t
    [0009] こで、 （ 1 ) 式を微分 して （ 2 ) 式に代入する と d μ
    [0010] = μ X ( β ' Ho) (3) d t
    [0011] が得られる。 こ の （ 3 ) 式を角速度 ω で回転する座標系 で表現する と 、 d β
    [0012] = μ X ( μ ~Ά o + ω ) = β Ύ Η (4) d t ただし、
    [0013] ω
    [0014] He = Η ο + - (5)
    [0015] V
    [0016] He = 0 となる周波数 ω を共鳴周波数 ω ο (角速度表 現） といい、 次式で示される。
    [0017] ω 0 = - Υ · H o (6) ω ο で回転する座標系において静磁場 H o 方向を Z、 これと直交する方向を X， Y と し、 X方向から磁場 11丄 ( ω 0 で回転する高周波磁場を意味する） を印加する と 磁化ベク トルは Ζ— Υ平面を y · H i で表わされる角速 度で回転する。 磁化べク トルが Z軸に対して 9 0度とな る （X — Y平面上に倒れる） まで印加する磁場 H i は 9 0 。 パルス と呼ばれ、 同様に して 1 8 0 ° パルスも定 義される。 そ して、 X — Y平面上に配置されたコィルに 磁化べク トルの X — Y平面の成分が信号と して誘起され る。 以上が核磁気共鳴原理のごく簡単な説明である。 以上のような原理にも とづいて試料の特定領域から選 択的に信号を得る従来の方法の一つは、 試料の X方向の 煩斜磁場 Hx の存在下において試料に試料の X方向の特 定領域 X 〜χ 2をカバーする周波数成分 / r ( = y h i )
    [0018] 〜 2 ( = V h 2 ) ( h i および h 2 はそれぞれ X i およ び X 2 における磁場強を示す） をもつ高周波磁場を印加 して、 試料の特定領域 X I〜 X 2の磁化ベク トルを選択的 に励起すべ く その領域の磁気ベク トルを 9 0 ° 倒すこ と によ リ その特定領域から信号を得る方法であ る。
    [0019] この方法は、 一次元方向について選択的に信号を得る にはすぐれた方法であるが、 一回の選択で磁化べク トル を 9 0度倒して し ま う ので、 複数次元の領域について空 間的な情報を得るための選択を行う ために、 複数回この 方法を適用する こ と はできない。 すなわち、 この方法の みでは 2 次元以上の空間的情報を得る選択は行えない。
    [0020] も う一つの方法は、 特定領域 X 1〜 X 2を含む広い領域 にわたつて、 磁化ベク トルを 9 0度倒し、 その後傾斜磁 場を印加 して得られた信号の周波数帯域の制御を行って， 特定領域に対応する / 1〜 / 2の周波数成分のみを選択的 に取出す方法である。 この方法はいわゆる周波数フ ィル タ方式であ り 、 アナロ グフィルタ によ る方式と 、 狭義の ディ ジタノレフ ィルタ によ る方式と がある。 アナロ グフィ ルタ は、 帯域を任意に変化させる こ と が難し い欠点を持 つ。 更に、 2 次元以上の空間的選択への拡張は不可能で ある。 ディ ジタルフ ィルタ は、 狭義のディ ジタルフィル タ （たたみ込み を利用 した通常のディ ジタルフィルタ方 式） と、 フー リ エ変換を利用 したフィノレタ と がある 。 狹 義のディ ジタ ルフィルタ は、 任意に蒂域を可変でき る利 点があるものの、 アナログフィルタ同様 2次元以上への 拡張性がない。 また、 信号をディジタル化するためのデ
    [0021] —タのサンプリ ング周期 t i n t は、 ナイ キス トの定理よ リ、 信号の中に含まれる最大周波数を / a x とすると、 次式で示される条件を満足する必要がある。
    [0022] 1
    [0023] t i„t≤ ……（7 ) m a 従って、 特定領域に対応する周波数蒂域とは無関係に 励起される信号の信号蒂域によってサンプリ ングレー ト が決定されて しまう。
    [0024] フーリエ変換を利用 したフィルタ は、 信号をサンプリ ングし、 ディ ジタル信号に変換した後、 サンプリ ングし たデータ を一まとめにしてフーリエ変換し、 得られたデ ータ から 目的の周波数蒂域 ίチ 1〜 f ζ のデータ のみ取 出す方法である。 この フーリエ変換法は、 核磁気共鳴の 原理を巧妙に利用 した 2次元フーリエ変換イメージング 法や、 3次元フーリエ変換イメージング法のよ う に、 多 次元にわたる空間情報の分離が可能であり、 しかも、 原 理的には任意のフィルタ リ ングが可能である。 この方法 は、 通常の処理によって得られたデータ から、 特定領域 に関するデータ のみを採用 し、 他の部分を捨てているに すぎない。 従って、 この方法は、 特別な処理も必要と し ない点に倭れた方法である。 し かし、 この フー リ エ変換法においてもサンプリ ング レー 卜 は、 ( 7 ) 式で示される条件を満足する必要があ る。 一方、 分解能 を得るために、 データ取込み時間 T は、
    [0025] T (8)
    [0026] Δ f を満足する必要がある このため （ 7 ) ， （ 8 ) 式よ り 、 データ点数 Nは、
    [0027] T a q Δ f 2 a x
    [0028] N = (9)
    [0029] Δ f
    [0030] 2 / »ax と なる。 目的空間に対応する周波数帯域を G»ax、 分解 能を Δ f Q とする と、 必要なデータ点数 Nは次式で示さ れる。
    [0031] 2
    [0032] i 0 = (10)
    [0033] Δ f 0
    [0034] ( 9 ) 式と （ 1 0 ) 式の比を と ると、
    [0035] N / N 0 = ( Δ f °/ Δ f ) / ( f °-ax/ (11)
    [0036] N Δ f 0 f -ax
    [0037] = x ……（12)
    [0038] No A f f °.ax 即ち、 同一分解能を維持 した場合には、 選択比率が高 く なる程多く のデータ点数が必要であ り、 逆にデータ点 数を同一にすると、 分解能が低下してしまう欠点を意味 する。 このような、 ト レードオフを避けるためには、 目 的領域と信号発生領域と を一致させるこ とが是非必要で ある。
    [0039] 発明の開示
    [0040] 本発明の目的は多次元空間情報を得るのに適した特定 領域の選択を行い得る、 試料の特定領域を選択する方法 を提供するこ と にある。
    [0041] 本発明によれば、 静磁場中に試料を配置する一それに よってその試料中のスピンが前記静磁場と平行な方向に 配向されるよう に一こと、 前記試料の特定領域のスピン を前記静磁場と直角な方向に倒した後前記静磁場と平行 な方向に配向する一その間に前記試料の特定領域以外の 領域のスピンを前記静磁場と直角な方向に倒すよ う に一 こ と、 並びに前記試料の特定領域以外の領域のスピンを 飽和させるよう に前記静磁場を不均一にする ことのステ ップを含む試料の特定領域を選択する方法が提供される 図面の簡単な説明
    [0042] 第 1図は本発明の方法を実施するのに用いられる一実 施例と しての核磁気共鳴ィ メージング装置のブロック図 第 2図は試料の静磁場中への配置状態を示す斜視図、 第 3 図 （A ) は試料の第 1 の磁化ベク トル状態を示す模式 図、 第 3図 （ B ) は試料の第 2の磁化ベク トル状態を示 す模式図、 第 3 図 （ C ) は試料の第 3の磁化ベク トル状 態を示す模式図、 第 3図 （D) は試料の第 4 の磁化べク トル状態を示す模式図、 第 3図 （E ) は試料の第 5のべ ク トル状態を示す模式図、 第 3図 （ F) は試料の第 6の べク トル状態を示す模式図、 第 4図は本発明の方法の第 1 の実施例のタ イムチャー ト 、 第 5 図は本発明の方法の 第 2 の実施例のタ イ ムチャー ト 、 第 S図は本発明の方法 の第 3の実施例のタ イムチャー ト、 第 7 図は本発明の方 法の第 4 の実施例のタ イムチャー ト 、 第 8 図は本発明の 方法の第 5 の実施例のタ イムチャー ト 、 第 9 図は本発明 の方法の第 6 の実施例のタ イ ムチャー ト 、 第 1 0図は本 発明の方法の応用例を説明するための試料配置状態を示 す斜視図である。
    [0043] 発明を実施するための最良の形態
    [0044] 第 1 図を参照するに、 磁石 1 0 は磁石電源 1 2 から電 流が供給され、 一様な静磁場 Ho を発生する。 磁石 1 0 の中心部には被検体 1 6 が配置される。 照射コイル 1 8 は高周波電力増幅器 2 0 を介して電源 2 2 に接続してあ る。 高周波電力増幅器 2 0は、 周波数シ ンセサイ ザ 2 4 が発するパルスを、 高周波 ト ラ ンス ミ ッ タ ー 2 6、 振幅 変調器 2 8 を介し て受け、 高周波電圧を照射コ イ ル 1 8 に印加する。 傾斜磁場コイル装置 1 4 は X傾斜磁場駆動 器 3 0 、 Υ傾斜磁場駆動器 3 2 、 Ζ傾斜磁場駆動器 3 4 に接続されており、 イ ンターフェイス 3 6 を介して各傾 斜磁場駆動器が接続してある計算機 3 8 によ り、 X , Υ Ζ方向の傾斜磁場を発生するよう になっている。
    [0045] 受信コイル 4 0は被検体 1 6 からの核磁気共鳴信号を 検出し、 その検出した核磁気共鳴信号は、 前置増幅器 4 2、 高周波受信器 4 4 を介して、 位相検波器 4 6 に入 力される。 位相検波器 4 6は高周波ト ランスミ ッタ一 2 6 と接続しており、 照射磁場コイル 1 8 に印加された 電圧の周波数、 すなわち高周波磁場の周波数を参照信号 と して共鳴信号を位相検波し、 オーデォアンプおよびフ ィルタ 4 8 に入力する。 オーデォアンプおよびフィノレタ
    [0046] 4 8は所定の核磁気共鳴信号を選択し、 A Z D変換器
    [0047] 5 0 、 イ ンタ 一フェイス 3 6 を介してディ スプレイ 5 2 に表示する。 なお、 5 4は計算機 3 8 を操作する操作卓 である。
    [0048] いま、 被検体と しての試料 1 が第 2図に示すよう に配 置されており、 Ζ軸が静磁場 H o の方向を示すものとす る。 X , Y軸は Z軸と垂直でかつ互いに直交する 2軸を 意味する。 本実施例では、 説明の筒単化のため X軸方向 についての選択的飽和を説明するが、 他の軸方向につい ても同じ議論が適用できる。 第 2図中のハツチングを施 した部分 （A—- B ) が特定領域すなわち目的領域である 第 3 図は第 2 図の矢印 5 6方向から見た図である。 傾 斜磁場が作用 していない と きは、 第 3 図 （ A) に示され る よ う に、 試料 1 の磁化ベク トルは、 全領域にわたって Z方向を向いている。 そこで、 X軸に沿った位置によ り 磁場強度の異なる傾斜磁場 GX を静磁場に印加する。 次 に、 目的領域 A〜 B に対して 9 0 ° パルス選択照射を行 う 。 即ち、 A点の磁場強度に対応する共鳴周波数と 、 B 点の磁場強度に対応する共鳴周波数の間の成分を集中的 に持った高周波磁場を試料 1 に印加する こ と によって、 第 3 図 （ B ) に示される よ う に、 試料 1 の領域 A〜 B の 部分の磁化べク トルを選択的に励起 して X— Y平面に倒 す。
    [0049] 選択照射を行って領域 A〜 B の磁化べク トルを X— Y 平面上に倒した時、 X — Y平面上の磁化べク トルは位相 が乱れている。 これは、 静磁場 H。 が完全に一様でない こ と と 、 傾斜磁場を印加 している こ と によ る。 そ こで、 位相をそろえる必要がある。 位相をそろえる には、 ェコ —を発生させる。 このエコーは、 傾斜磁場 GX を再度印 加する と と も に， 1 8 0 ° ノ、。ルスを印加する こ と によ り 行う 。 この時、 各領域の磁化ベク トルの向きは、 第 3 図 ( C ) の如 く なる。
    [0050] その後、 第 3 図 （ D ) に示すよ う に、 非選択 9 0 ° ノ、。 ルス、 すなわち試料 1 の全体に 9 0 ° ノヽ eルス を印力！] し、 領域 A〜B間の磁化べク トルを Z軸方向に向け、 その他 の部分の磁化ベク トルを X— Y平面上に倒す。 次に、 磁 場の不均一性 （ホモ ' スポイルパルス） を与えるために Gx を印加する。 この Gx の代り に GY または Gz が印 加されてもよい。 これによ り X— Y平面上の磁化べク ト ルの成分は、 位相が乱れて消失し、 領域 A〜B以外の領 ィの核スピンを飽和させる ことができる （第 3図（E ))。
    [0051] 従って、 第 3 図 （ F ) に示したよう に、 試料 1 の磁化 べク トルのうち、 A〜B の部分の磁化べク ドルのみを残 すことができる。 このため、 目的領域以外から核磁気共 鳴の信号が発生せず、 必要とするデータ数を少なくする こ とができる。
    [0052] 傾斜磁場 Gx 、 高周波磁場の印加、 エコーの発生タイ ミ ングは、 第 4図に示すよう に行われる。 ただし、 S i
    [0053] S 2 ， ΰ 3 は、
    [0054] t2 t
    [0055] S 1 = G x d t S 2一 G x d t
    [0056] t3
    [0057] ts
    [0058] S 3 = G x d t
    [0059] t4
    [0060] であ り、
    [0061] S ! + S 2 = S 3 …… (13) を満足するタ イ ミ ング t 5 で Gx の印加を止める。
    [0062] 1 8 0 " ノヽ cゾレスの印力 []は t 4 で行い、 エコ ーは t 1〜 t と t 4〜 t 6が等し く なる t eで発生させる。 t eで 9 0 ° パルスを印加する。 （ B ) 〜 （ E ) は第 3 図のそれら を それぞれ対応する。
    [0063] 以上の操作の間に減衰する磁化べク トルの大きさ につ いて考察する。 1 8 0 ° パルスエコー法を採用 している ために t i〜 t e間に減衰する量は、 スピン一スピン緩和 時間である T2 によ る量である。 T2 を 6 0 msec 以上 とする と 、 t i t sを 6 ^136ご 以下で行ぇば 1 ー
    [0064] β "6/80 = 0 . 1 0 の減衰量と な り最大 1 0 %である。
    [0065] t i〜 t sは更に短かく する こ と が可能である し、 T 2 も 一般には更に大きい こ と を考える と、 実用上さ しつかえ ない と いえる。
    [0066] 以上の操作を G Y や G Z あるいは雨方に対 して行う こ と によ り 、 2 次元あるいは 3 次元的の 目的領域を選択 し、 それ以外の磁化べク トルの飽和を行う こ と ができ る。
    [0067] 実施例に示 したエコ ー発生手段と して、 第 5 図に示 し たよ う に t 2 と t 3 を一致させても良い し、 第 6 図に示 したよ う に t i〜 t 4の間を連続して Gx を印加しても良 い。 ただし、 第 6 図に示した例では、 次の条件を満足す る必要がある。
    [0068] また、 実施例に示 したエコ ー発生手段と して第 7 図に 示したよう に、 Gx を印力 [Iしても良い。 但し、 S i+ S 3 = S 2 満 。
    [0069] 実施例に示したエコー発生手段と して第 8図に示レた 様に、 Gx の極性を切換えて印加してもよい。 ただし、 S i= S 2である。
    [0070] 実施例に示した 1 8 0 ° パルスは選択照射パルスであ つてもよいし、 非選択性のパルスであってもよい。
    [0071] 実施例に示した t s で印加する 9 0 - パルスの印加時 間が極めて短かく 印加時間内での位相乱れが無視できる 程度の不均一磁場であれば、 本来 9 0 。 パルス印加終了 以後に印加する前記不均一磁場を 9 0 ° パルスと同時に 印加してもよい。 その際、 エコー発生のために印加して いる傾斜磁場と、 前記不均一磁場と を同一の傾斜磁場に よって行ってもよい。 すなわち、 第 9 図に示すよう に前 記 9 0 ° パルスの前後で連続して傾斜磁場を印加しても よい。
    [0072] 第 3図 （ B ) および （ C ) を省略し、 G X 存在下で非 選択性の 9 0 。 パルスを印加して試料全体のスピンを 9 0 ° 倒した後 Gx 存在下で搔性が異なる選択性の 90° パルスを印加して第 3図 （D ) に示すよう に領域 A— B のスピンを静磁場の方向に戻すよう にしてもよい。
    [0073] 以上説明した実施例では高周波磁場が Y軸に沿つて印 加されたが、 X— Y平面上の軸であれば任意の方向でも よい。
    [0074] 第 1 0図は、 本発明に係る核磁気共鳴信号検出方法の 応用実施例のための説明図である。
    [0075] 先に示した選択的な飽和法を X , Y軸のそれぞれにつ いて行い、 第 1 0図に示すよ う に 2次元的に試料の領域 を選択し、 Z軸方向にスライ スする。 その後、 イ メージ ン グのために通常のスピン ワープ法を行う 。 このスピン ヮ一プ法は、 Edelsteim WA , Hutchison JMS, Johnson u , Redpath T,によ る "Spinvarp NMR imaging and applications to human whole― body imaging " Phy s . Med .Bio. ( 1980 ； 2 5 : 7 5 1 - 7 5 6 ) に詳し く述べ られている。
    [0076] 周波数エンコー ド方向を X、 位相エンコー ド方向を Y とする と 、 サンプリ ングデータ点数 N X は、 （ 9 ) 式に 示 したよ う に X軸方向の最大周波数 / «ax，x とする と、
    [0077] 2. a
    [0078] i X =
    [0079] Δ /
    [0080] となる。 選択的飽和法によ り Xの最大値が小さいため
    [0081] / -ax,x が小さ く な り、 Δ ;f を一定にするならば N X を な く する こ と ができる。 一方、 位相エンコー ド方向につ いても同様にデータ点数、 即ち位相エンコー ド回数を减 らすこ と ができ る。 換言すれば、 スキャン回数を减らす こ と ができ る。 計測時間 Tは、 スキャン時間 t SCAN、 ス キャン回数 n とすると次式で示される。
    [0082] T = t S C A N X n
    [0083] 従って、 スキャン回数を減らすことができれば計測時 間を滅らすことができる。 このこ とは、 被検者の拘束時 間を短縮でき、 被検者の苦痛をやわらげることができる ため、 非常に大きいメ リ ッ トとなる。 また、 （ 9 ) 式を 変形すると、
    [0084] m a X
    [0085] Δ .f = ·
    [0086] Ν となる。 選択的飽和法によ り / « a x を小さ くする と、 N を一定にするならば分解能 Δ を小さ くすることができ る。 すなわち、 分解能の精度を向上できる。
    [0087] 次に、 第 2の応用例を説明する。
    [0088] X方向に時間経過に伴い移動する試料に対して、 本発 明による選択的飽和法を 軸について行う 。 適当な時間 経過した後、 X軸方向の任意の点で、 磁化べク トルの励 起を行い、 信号の検出を行う 。 選択的飽和法を行ってか らの経過時間と、 X軸方向に関する信号検出位置から試 料の移動速度を知る ことができる。
    权利要求:
    Claims請求の範囲
    1 . 静磁場中に試料を配置する一それによつてその試料 中のスピンが前記静磁場と平行な方向に配向するよう に一こ と、 前記試料の特定領域のスピンを前記静磁場 と直角な方向に倒した後前記静磁場と平行な方向に配 向する一その間に前記試料の特定領域以外の領域のス ピンを前記静磁場と直角な方向に倒すよ う に一こ と、 並びに前記特定領域以外の領域の倒されたス ピンを飽 和させるよ う に前記静磁場を不均一にする こ とのステ ップを含む、 試料の特定領域を選択する方法。
    2 . 静磁場中に試料を配置する一それによつてその試料 中のスピンが前記静磁場と平行な方向に配向するよう に一こ と 、 前記試料の特定領域のスピンを前記静磁場 と直角な方向に倒した後前記静磁場と平行な方向に戻 す一その間に前記試料の特定領域以外の領域のスピン を前記静磁場と直角な方向に倒すよ う に一こ と 、 並び に前記特定領域以外の領域の倒されたスピンを飽和さ せるよう に前記静磁場を不均一にすることのステップ を含む、 試料の特定領域を選択する方法。
    . 静磁場中に試料を配置する一それによつてその試料 中のスピンが前記静磁場と平行な方向に配向するよう に一こ と 、 前記試料の特定領域のス ピンを前記静磁場 と直角な方向に選択的に倒すこ と、 前記静磁場と直角 な方向に倒されてあるスビンを前記静磁場と平行な方 向に配向すると共に前記試料の特定領域以外の領域の スピンを前記静磁場と直角な方向に倒すこ と、 並びに 前記特定領域以外の領域の倒されたスビンを飽和させ るよう に前記静磁場を不均一にすることのステップを 含む、 試料の特定領域を選択する方法。
    . 静磁場中に試料を配置する一それによつてその試料 中のスピンが前記静磁場と平行な方向に配向するよう に— こ と、 前記試料の特定領域のスピンを前記静磁場 と直角な方向に選択的に倒すこ と、 前記倒されたスピ ンを反転させるこ と、 該反転したスピンを前記磁場と 平行な方向に配向する と共に前記試料の特定領域以外 の領域スピンを前記静磁場と直角な方向に倒すこと、 並びに前記試料の特定領域以外の領域のスピンを飽和 させるよう に前記静磁場を不均一にする ことのステツ プを含む、 試料の特定領域を選択する方法。
    . 静磁場中に試料を配置する—それによつてその試料 中のスピンが前記静磁場と平行な方向に配向するよう に一こ と、 前記試料の特定領域を前記静磁場と直角な 方向に選択的に倒すこ と、 前記試料のスピンを反転さ せる こ と、 該反転されたスピンを 9 0 ° 倒す一前記試 料の特定領域のスピンは前記静磁場と平行な方向に配 向される と共に前記試料の特定領域以外の領域のスピ ンは前記静磁場と直角な方向に倒されるよ う に一こ と 並びに前記試料の特定領域以外の領域のスピンを飽和 させるよ う に前記静磁場を不均一にする こ と のステツ プを含む、 試料の特定領域を選択する方法。
    . 静磁場中に試料を配置する一それによつてその試料 中のスピンが前記静磁場と平行な方向に配置するよ う に一こ と、 前記試料の特定領域のスピンを前記静磁場 と直角な方向に倒すよ う に選択された周波数成分をも つ高周波を前記試料に印加する こ と、 前記静磁場と直 角な方向に倒されてあるスピンを前記静磁場と平行な 方向に配向する と共に前記試料の特定領域以外の領域 のス ピンを前記静磁場と直角な方向に倒すよ う に高周 波を前記試料に印加する こ と、 並びに前記特定領域以 外の領域の倒されたスピンを飽和させるよ う に前記静 磁場を不均一にする こ と のステップを含む、 試料の特 定領域を選択する方法。
    . 静磁場中に試料を配置する一それによつてその試料 中のスピンが前記静磁場と平行な方向に配向されるよ う に一こ と、 前記試料の特定領域のスピンを前記静磁 場と直角な方向に倒すよ う に選択された周波数成分を もつ高周波を前記試料に印加する こ と、 前記倒された ス ピンを反転させるよ う に高周波を前記試料に印加す ること、 前記反転したスピンを前記静磁場と平行な方 向に配向する と共に前記試料の特定領域以外の領域の スピンを前記静磁場と直角な方向に倒すよう に高周波 を前記試料に印加する こと、 並びに前記試料の特定領 域以外の領域のスピンを飽和させるよう に前記静磁場 を不均一にすることのステップを含む、 試料の特定領 域を選択する方法。
    . 静磁場中に試料を配置する一それによつてその試料 中のスピンが前記静磁場と平行な方向に配向するよう に一こと、 前記試料の特定領域を前記静磁場と直角な 方向に倒すよう に選択された周波数成分をもつ高周波 を前記試料に印加する こと、 前記試料のスピンを反転 させるよう に高周波を前記試料に印加する こ と、 前記 試料の特定領域のスピンは前記静磁場と平行な方向に 配向されると共に前記試料の特定領域以外の領域のス ピンは前記静磁場と直角な方向に倒ざれるよ う に前記 反転されたスピンを 9 0 ° 倒すために高周波を前記試 料に印加する こ と、 並びに前記試料の特定領域以外の 領域のスピンを飽和させるよう に前記静磁場を不均一 にすることのステップを含む、 試料の特定領域を選択 する方法。
    类似技术:
    公开号 | 公开日 | 专利标题
    US6897655B2|2005-05-24|Moving table MRI with frequency-encoding in the z-direction
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    同族专利:
    公开号 | 公开日
    JPH0620435B2|1994-03-23|
    US4814709A|1989-03-21|
    JPS6270741A|1987-04-01|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    法律状态:
    1990-07-12| AK| Designated states|Kind code of ref document: A1 Designated state(s): US |
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
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